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RF PARTS RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175 /
RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz 70 Watt.
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Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz 70 Watt.
DESCRIPCIÓN
RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
CARACTERISTICAS
1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
2. Empleando el paquete de molde
3. Alta potencia y alta eficiencia
Pout = 75Wtyp Drain Effi. = 64% typ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz
Pout = 84Wtyp Drain Effi. = 74% typ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz
4. Diodo integrado de protección de la puerta.
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.
RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz 70 Watt.
11-10-2024 13:26:49 SSN10 U-0
RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz 70 Watt.
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RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz 70 Watt.